ITPE * JackerLab

개요PCM(Phase-Change Memory)은 상전이 물질의 상태 변화(비정질 ↔ 결정질)를 이용해 데이터를 저장하는 차세대 비휘발성 메모리 기술입니다. 기존 NAND 플래시의 한계를 보완하며, 빠른 속도, 높은 내구성, 우수한 쓰기 반복성과 낮은 대기 전력을 갖춘 점에서 DRAM과 플래시 사이의 메모리 계층을 혁신적으로 재구성할 수 있는 후보 기술로 주목받고 있습니다. 본 글에서는 PCM의 동작 원리, 구조, 기술적 특징과 활용 사례에 대해 깊이 있게 살펴봅니다.1. 개념 및 정의 항목 설명 정의PCM은 GST(Germanium-Antimony-Tellurium) 기반 상전이 물질을 사용하여 전기적 자극으로 상태(저항)를 변화시켜 데이터를 저장하는 비휘발성 메모리입니다.목적고속 동작과 높은 쓰기 ..

개요RRAM(Resistive Random Access Memory)은 저항의 상태 변화를 이용하여 데이터를 저장하는 차세대 비휘발성 메모리(NVM) 기술입니다. 기존의 플래시 메모리 대비 빠른 속도, 낮은 전력 소모, 높은 집적도, 그리고 우수한 내구성을 갖추고 있어 차세대 메모리 및 인공지능, 뉴로모픽 컴퓨팅, 엣지 디바이스 등 다양한 응용 분야에서 주목받고 있습니다. 본 글에서는 RRAM의 구조, 동작 원리, 장점, 기술 요소 및 상용화 가능성에 대해 자세히 살펴봅니다.1. 개념 및 정의 항목 설명 정의RRAM은 전압에 의해 저항값이 변화하는 특성을 이용하여 데이터를 저장하는 비휘발성 메모리입니다.목적고속·고집적·저전력의 차세대 저장 장치 실현필요성플래시 메모리의 속도 한계, 내구성 문제, 공정 ..