개요HBM(High Bandwidth Memory) 시리즈는 TSV(Through-Silicon Via) 기반 3D 스택 DRAM 기술로, 고대역폭과 낮은 지연 시간, 높은 전력 효율을 특징으로 합니다. HBM1부터 최신 HBM3E까지, 세대별 발전을 거듭하며 AI, HPC, 그래픽, 네트워크 장비 등 다양한 고성능 시스템에 적용되고 있습니다. 본 글에서는 각 HBM 세대의 특징, 기술 변화, 활용 환경을 정리합니다.1. 개념 및 정의HBM 시리즈는 기존 DDR DRAM 구조와 달리, 메모리 다이를 수직으로 적층하고 인터포저를 통해 프로세서와 근접 연결하는 방식의 고성능 메모리입니다. 병렬성이 극대화된 구조로 인해, 대역폭과 전력 효율이 매우 뛰어난 것이 특징입니다.기반 기술: TSV, 인터포저(CoWo..
