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개요Fabric-Attached Memory(FAM)는 CPU와 직접 연결되지 않고, 고속 패브릭(Fabric) 네트워크를 통해 여러 컴퓨팅 노드에서 공유/접근 가능한 메모리 아키텍처입니다. 이는 메모리와 컴퓨팅 리소스의 분리(disaggregation)를 가능하게 하여, 확장성과 유연성을 극대화하는 새로운 데이터 중심 컴퓨팅 모델을 실현합니다. FAM은 특히 고성능 컴퓨팅(HPC), 대규모 AI 분석, 데이터베이스, 인메모리 컴퓨팅 환경에서 각광받고 있습니다.1. 개념 및 정의Fabric-Attached Memory는 기존의 CPU 중심 메모리 구조와 달리, 메모리를 시스템 메모리가 아닌 네트워크를 통해 공유 자원처럼 사용하는 기술입니다. CPU, GPU, FPGA 등 다양한 연산 자원이 메모리 풀에 ..

개요ReRAM(Resistive RAM), MRAM(Magnetoresistive RAM), STT-MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM)은 기존 DRAM과 NAND 플래시의 한계를 극복하기 위해 개발된 신개념 비휘발성 메모리(NVM) 기술입니다. 이들은 모두 데이터를 유지하면서도 빠른 속도, 낮은 전력 소모, 높은 내구성을 목표로 하며, AI 칩, 자동차, 모바일, 엣지 컴퓨팅, IoT 등 다양한 영역에서 주목받고 있습니다.1. 개념 및 정의 기술 정의 ReRAM저항 변화(RRAM)의 원리를 이용해 전도 상태와 비전도 상태를 전기적으로 제어하는 메모리MRAM자기 터널 접합(MTJ)을 이용하여 자성 방향에 따라 데이터를 저장하는 메모리STT-MRAMMRAM의 한 종류로, 전류 기반 스..

개요스핀트로닉스(Spintronics, Spin Electronics)는 전자의 전하(charge)뿐 아니라 **스핀(spin)**이라는 양자적 속성을 정보 처리와 저장에 활용하는 차세대 전자 기술입니다. 기존 반도체가 전류 흐름에만 의존한 것과 달리, 스핀트로닉스는 자성(magnetism)을 기반으로 하여 저전력, 고속, 비휘발성 특성을 갖는 메모리와 로직 소자를 구현할 수 있습니다. 이 글에서는 스핀트로닉스의 개념, 핵심 원리, 주요 소자, 장단점 및 산업적 응용에 대해 심층적으로 분석합니다.1. 개념 및 정의스핀트로닉스는 'spin'과 'electronics'의 합성어로, 전자의 고유한 양자 특성인 **스핀(↑ 또는 ↓ 상태)**을 정보 단위로 사용합니다. 기존 CMOS 기반 시스템과는 다르게, 자..