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개요메모리 기술은 고속, 고집적, 저전력 특성의 요구가 갈수록 높아지고 있으며, DRAM과 플래시 메모리의 한계를 대체할 새로운 대안으로 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)이 주목받고 있습니다. 그중에서도 SOT(Spin-Orbit Torque) 기반 MRAM은 속도, 내구성, 에너지 효율성 측면에서 기존 STT-MRAM을 능가하는 차세대 메모리 기술로 각광받고 있습니다.1. 개념 및 정의SOT MRAM은 스핀 궤도 토크(Spin-Orbit Torque) 현상을 이용하여 데이터를 저장하고 제어하는 비휘발성 메모리입니다. SOT는 전류가 강자성 금속과 비강자성 금속의 인터페이스를 통과할 때 발생하는 스핀 흐름을 활용해 자기장의 방향을 전환하는 방식으로 동작합니다...

개요HBM(High Bandwidth Memory) 시리즈는 TSV(Through-Silicon Via) 기반 3D 스택 DRAM 기술로, 고대역폭과 낮은 지연 시간, 높은 전력 효율을 특징으로 합니다. HBM1부터 최신 HBM3E까지, 세대별 발전을 거듭하며 AI, HPC, 그래픽, 네트워크 장비 등 다양한 고성능 시스템에 적용되고 있습니다. 본 글에서는 각 HBM 세대의 특징, 기술 변화, 활용 환경을 정리합니다.1. 개념 및 정의HBM 시리즈는 기존 DDR DRAM 구조와 달리, 메모리 다이를 수직으로 적층하고 인터포저를 통해 프로세서와 근접 연결하는 방식의 고성능 메모리입니다. 병렬성이 극대화된 구조로 인해, 대역폭과 전력 효율이 매우 뛰어난 것이 특징입니다.기반 기술: TSV, 인터포저(CoWo..

개요HBM(High Bandwidth Memory)과 DDR(Double Data Rate) 시리즈는 모두 시스템 메모리로 활용되지만, 설계 목적과 구조, 성능 특성에서 큰 차이를 보입니다. HBM은 초고속·고대역폭 연산에 특화된 3D 스택형 메모리이며, DDR 계열은 범용 시스템과 서버 중심의 직렬 DRAM 기술입니다. 본 글에서는 HBM과 DDR 시리즈의 기술적 차이점, 진화 과정, 적용 환경을 상세히 비교합니다.1. 개념 및 정의 항목 HBM (High Bandwidth Memory) DDR (Double Data Rate SDRAM) 정의TSV 기반 3D 스택 고대역폭 메모리병렬 버스 기반 범용 DRAM 메모리목적GPU, AI, HPC 고속 연산용PC, 서버, 모바일 범용 메모리배치 방식칩 근..

개요HBM3(High Bandwidth Memory 3)는 기존 DRAM 기술을 뛰어넘는 초고속, 고대역폭, 저전력 메모리 기술로서, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 그래픽 처리, 데이터센터 분야의 차세대 워크로드를 위한 핵심 메모리로 부상하고 있습니다. HBM3는 JEDEC 표준 기반으로, HBM2E 대비 대역폭과 용량이 획기적으로 향상되었으며, GPU 및 DPU, AI 가속기에 통합되어 높은 연산 성능을 실현합니다.1. 개념 및 정의HBM3는 다층 3D TSV(Through-Silicon Via) 스택 구조를 기반으로 하는 고성능 DRAM 인터페이스 기술입니다. 메모리 다이를 수직으로 적층하고, 초고속 인터페이스를 통해 프로세서에 밀착 배치함으로써 기존 DDR 기반 메모리보다 수배 높은 대역폭을 제공..

개요High Bandwidth Memory(HBM)는 기존 DRAM보다 높은 대역폭과 낮은 전력 소비를 제공하는 고성능 메모리 기술입니다. HBM은 3D TSV(Through-Silicon Via) 기술을 이용하여 여러 개의 DRAM 다이를 수직으로 적층(stack)하여 높은 메모리 대역폭을 제공하며, GPU, AI/ML 가속기, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야에서 널리 사용됩니다. 본 글에서는 HBM의 개념과 특징, 기존 메모리와의 비교, 주요 활용 사례 및 최신 트렌드를 살펴봅니다. 1. High Bandwidth Memory(HBM)란?HBM은 기존 DDR 및 GDDR 메모리의 대역폭 한계를 극복하기 위해 개발된 고속 메모리 기술입니다. HBM은 여러 개의 DRAM 다이를 적층하여 TSV ..