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개요메모리 기술은 고속, 고집적, 저전력 특성의 요구가 갈수록 높아지고 있으며, DRAM과 플래시 메모리의 한계를 대체할 새로운 대안으로 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)이 주목받고 있습니다. 그중에서도 SOT(Spin-Orbit Torque) 기반 MRAM은 속도, 내구성, 에너지 효율성 측면에서 기존 STT-MRAM을 능가하는 차세대 메모리 기술로 각광받고 있습니다.1. 개념 및 정의SOT MRAM은 스핀 궤도 토크(Spin-Orbit Torque) 현상을 이용하여 데이터를 저장하고 제어하는 비휘발성 메모리입니다. SOT는 전류가 강자성 금속과 비강자성 금속의 인터페이스를 통과할 때 발생하는 스핀 흐름을 활용해 자기장의 방향을 전환하는 방식으로 동작합니다...

개요HBM3(High Bandwidth Memory 3)는 기존 DRAM 기술을 뛰어넘는 초고속, 고대역폭, 저전력 메모리 기술로서, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 그래픽 처리, 데이터센터 분야의 차세대 워크로드를 위한 핵심 메모리로 부상하고 있습니다. HBM3는 JEDEC 표준 기반으로, HBM2E 대비 대역폭과 용량이 획기적으로 향상되었으며, GPU 및 DPU, AI 가속기에 통합되어 높은 연산 성능을 실현합니다.1. 개념 및 정의HBM3는 다층 3D TSV(Through-Silicon Via) 스택 구조를 기반으로 하는 고성능 DRAM 인터페이스 기술입니다. 메모리 다이를 수직으로 적층하고, 초고속 인터페이스를 통해 프로세서에 밀착 배치함으로써 기존 DDR 기반 메모리보다 수배 높은 대역폭을 제공..