개요ReRAM(Resistive RAM), MRAM(Magnetoresistive RAM), STT-MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM)은 기존 DRAM과 NAND 플래시의 한계를 극복하기 위해 개발된 신개념 비휘발성 메모리(NVM) 기술입니다. 이들은 모두 데이터를 유지하면서도 빠른 속도, 낮은 전력 소모, 높은 내구성을 목표로 하며, AI 칩, 자동차, 모바일, 엣지 컴퓨팅, IoT 등 다양한 영역에서 주목받고 있습니다.1. 개념 및 정의 기술 정의 ReRAM저항 변화(RRAM)의 원리를 이용해 전도 상태와 비전도 상태를 전기적으로 제어하는 메모리MRAM자기 터널 접합(MTJ)을 이용하여 자성 방향에 따라 데이터를 저장하는 메모리STT-MRAMMRAM의 한 종류로, 전류 기반 스..
