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개요메모리 기술은 고속, 고집적, 저전력 특성의 요구가 갈수록 높아지고 있으며, DRAM과 플래시 메모리의 한계를 대체할 새로운 대안으로 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)이 주목받고 있습니다. 그중에서도 SOT(Spin-Orbit Torque) 기반 MRAM은 속도, 내구성, 에너지 효율성 측면에서 기존 STT-MRAM을 능가하는 차세대 메모리 기술로 각광받고 있습니다.1. 개념 및 정의SOT MRAM은 스핀 궤도 토크(Spin-Orbit Torque) 현상을 이용하여 데이터를 저장하고 제어하는 비휘발성 메모리입니다. SOT는 전류가 강자성 금속과 비강자성 금속의 인터페이스를 통과할 때 발생하는 스핀 흐름을 활용해 자기장의 방향을 전환하는 방식으로 동작합니다...

개요ReRAM(Resistive RAM), MRAM(Magnetoresistive RAM), STT-MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM)은 기존 DRAM과 NAND 플래시의 한계를 극복하기 위해 개발된 신개념 비휘발성 메모리(NVM) 기술입니다. 이들은 모두 데이터를 유지하면서도 빠른 속도, 낮은 전력 소모, 높은 내구성을 목표로 하며, AI 칩, 자동차, 모바일, 엣지 컴퓨팅, IoT 등 다양한 영역에서 주목받고 있습니다.1. 개념 및 정의 기술 정의 ReRAM저항 변화(RRAM)의 원리를 이용해 전도 상태와 비전도 상태를 전기적으로 제어하는 메모리MRAM자기 터널 접합(MTJ)을 이용하여 자성 방향에 따라 데이터를 저장하는 메모리STT-MRAMMRAM의 한 종류로, 전류 기반 스..

개요스핀트로닉스(Spintronics, Spin Electronics)는 전자의 전하(charge)뿐 아니라 **스핀(spin)**이라는 양자적 속성을 정보 처리와 저장에 활용하는 차세대 전자 기술입니다. 기존 반도체가 전류 흐름에만 의존한 것과 달리, 스핀트로닉스는 자성(magnetism)을 기반으로 하여 저전력, 고속, 비휘발성 특성을 갖는 메모리와 로직 소자를 구현할 수 있습니다. 이 글에서는 스핀트로닉스의 개념, 핵심 원리, 주요 소자, 장단점 및 산업적 응용에 대해 심층적으로 분석합니다.1. 개념 및 정의스핀트로닉스는 'spin'과 'electronics'의 합성어로, 전자의 고유한 양자 특성인 **스핀(↑ 또는 ↓ 상태)**을 정보 단위로 사용합니다. 기존 CMOS 기반 시스템과는 다르게, 자..