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개요Chiplet 3D Stack은 여러 개의 기능별 칩렛(Chiplet)을 3차원으로 수직 적층(3D Stacking)하여 단일 패키지로 통합하는 첨단 반도체 설계 기술이다. 이는 공정 미세화의 한계와 단일 다이(DIE) 규모의 증가에 따른 수율 문제를 해결하면서, 높은 성능과 전력 효율을 동시에 달성할 수 있는 방법으로 주목받고 있다.1. 개념 및 정의Chiplet 3D Stack은 기능별로 분리된 작은 칩(Chiplet)을 TSV(Through-Silicon Via), Micro-bump, Hybrid Bonding 등으로 연결해 3차원 공간에서 통합하는 기술이다.목적: 칩 설계의 유연성 확보 및 고성능/저전력 통합 구현필요성: SoC 단일 다이 공정의 한계 극복 및 패키징 효율 향상2. 특징 특징..

개요HBM(High Bandwidth Memory) 시리즈는 TSV(Through-Silicon Via) 기반 3D 스택 DRAM 기술로, 고대역폭과 낮은 지연 시간, 높은 전력 효율을 특징으로 합니다. HBM1부터 최신 HBM3E까지, 세대별 발전을 거듭하며 AI, HPC, 그래픽, 네트워크 장비 등 다양한 고성능 시스템에 적용되고 있습니다. 본 글에서는 각 HBM 세대의 특징, 기술 변화, 활용 환경을 정리합니다.1. 개념 및 정의HBM 시리즈는 기존 DDR DRAM 구조와 달리, 메모리 다이를 수직으로 적층하고 인터포저를 통해 프로세서와 근접 연결하는 방식의 고성능 메모리입니다. 병렬성이 극대화된 구조로 인해, 대역폭과 전력 효율이 매우 뛰어난 것이 특징입니다.기반 기술: TSV, 인터포저(CoWo..

개요HBM3(High Bandwidth Memory 3)는 기존 DRAM 기술을 뛰어넘는 초고속, 고대역폭, 저전력 메모리 기술로서, AI, 고성능 컴퓨팅(HPC), 그래픽 처리, 데이터센터 분야의 차세대 워크로드를 위한 핵심 메모리로 부상하고 있습니다. HBM3는 JEDEC 표준 기반으로, HBM2E 대비 대역폭과 용량이 획기적으로 향상되었으며, GPU 및 DPU, AI 가속기에 통합되어 높은 연산 성능을 실현합니다.1. 개념 및 정의HBM3는 다층 3D TSV(Through-Silicon Via) 스택 구조를 기반으로 하는 고성능 DRAM 인터페이스 기술입니다. 메모리 다이를 수직으로 적층하고, 초고속 인터페이스를 통해 프로세서에 밀착 배치함으로써 기존 DDR 기반 메모리보다 수배 높은 대역폭을 제공..

개요Foveros는 Intel이 개발한 고급 3D 패키징 기술로, 다양한 기능을 갖춘 칩들을 수직으로 적층하여 하나의 통합된 시스템을 구현합니다. 전통적인 2D 패키징 방식의 한계를 넘어, 집적도, 성능, 전력 효율을 획기적으로 향상시키면서도 설계 유연성과 모듈화를 동시에 달성하는 차세대 반도체 기술입니다.1. 개념 및 정의 항목 내용 정의다양한 기능을 가진 칩을 3D로 적층하여 고성능, 고효율 시스템을 구성하는 인텔의 고급 패키징 기술목적프로세서 설계 유연성 강화, 전력 효율 개선, 소형화 실현필요성단일 다이(System-on-Chip) 집적 한계 극복 및 다양한 IP 통합 수요 대응Foveros는 새로운 세대의 고성능 컴퓨팅, 모바일, AI 가속기 시스템에 최적화된 아키텍처를 가능하게 합니다.2. ..